A Samsung Electronics, a fejlett memóriatechnológia világelső vállalata bejelentette a hatodik generációs 256 gigabites V-NAND moduljain alapuló, több mint 100 rétegű, hárombájtos cellákat tartalmazó 250 GB-os SATA SSD-k tömeggyártását, amelyeket a globális PC-gyártóknak szállítanak. A Samsungnak mindössze 13 hónapra volt szüksége a következő generációs V-NAND gyártásához, amivel négy hónappal csökkentette a gyártási ciklusát, miközben a legnagyobb teljesítményű, energiahatékony és könnyen gyártható modulokat állította elő.
A hatodik generációs Samsung V-NAND modulok az iparág leggyorsabb adatátviteli sebességét nyújtják, demonstrálva a vállalat gyártási előnyét, amely a 3D memóriát a következő szintre emeli. A Samsung egyedülálló „channel etch” technológiájának köszönhetően az új V-NAND kristályok körülbelül 40%-kal több cellát tartalmaznak, mint az előző generációs egyblokkos 9x memóriamodulok. Ezt egy elektromosan vezető 136 rétegű struktúra kialakításával érik el, majd hengeres lyukak függőleges átlyukasztásával felülről lefelé, ami egyenletes háromdimenziós cellákat eredményez a töltéscsapda-villanás CTF technológiával.
Ahogy az egyes cellákban növekszik a chipek magassága, a NAND flash chipek egyre hajlamosabbak a hibákra és az olvasási késedelmekre. E korlátozás leküzdésére a Samsung olyan sebesség-optimalizált áramköri kialakítást vezetett be, amely az írási műveleteknél 450 µs alatti, az olvasási műveleteknél pedig 45 µs alatti maximális átviteli sebességet ér el. Az előző generációhoz képest az új kialakítás több mint 10%-os teljesítménynövekedést és több mint 15%-os energiafogyasztás-csökkenést eredményez.
Az optimalizált kialakításnak köszönhetően a következő generációs V-NAND megoldások több mint 300 réteget érhetnek el, három hatodik generációs cellát kombinálva anélkül, hogy a chip teljesítménye vagy megbízhatósága csökkenne. Ezenkívül az új generációs 256 GB-os chip csak 670 millió átvezetést igényel, szemben az előző generáció 930 milliójával. Ez csökkentette a chip méretét és a gyártási lépések számát, így a gyártási hatékonyság 20 százalékkal javult.
A Samsung a nagy sebességű, alacsony energiafogyasztású funkciókat használva nemcsak a 3D V-NAND megoldások használatát kívánja kiterjeszteni olyan eszközökre, mint a mobil eszközök és a vállalati szerverek, hanem be kívánja vezetni azokat az autóipari piacra is, ahol a nagy megbízhatóság kulcsfontosságú.
„A fejlett 3D memóriatechnológia tömeggyártású modellekbe történő beépítésével olyan memóriasorozatokat tudunk bevezetni, amelyek jelentősen nagyobb sebességgel és energiafogyasztással rendelkeznek” – mondta Kye Hyun Kyung, a Samsung Electronics flashmemóriákért és technológiáért felelős alelnöke. – A következő generációs V-NAND termékek fejlesztési ciklusának lerövidítésével agresszívan tervezzük kiterjeszteni a nagy sebességű, nagy teljesítményű 512 gigabites V-NAND megoldásaink piacát.
A 250 GB-os SSD bevezetését követően a Samsung az év második felében 512 gigabites V-NAND tripla V-NAND SSD-ket és eUFS-t tervez bevezetni. A vállalat a jövő évtől kezdve a koreai Pyeongtaekben található üzemében is bővíteni kívánja nagy teljesítményű, nagy sebességű, hatodik generációs V-NAND megoldásának gyártását.
Ez a hatodik generációs V-NAND 3D SSD milyen újításokat hoz a tárolási technológiában? Milyen előnyei vannak a korábbi generációkhoz képest? Milyen sebességeket és kapacitásokat tud nyújtani ez a Samsung SSD?