Budapest, 2023. október 17. – A Samsung Electronics, a fejlett félvezető technológiák globális vezetője bejelentette a piac első egychipes System-on-Chip SoC tömeggyártását 10 nm-es FinFET eljárással.
A világ első 10 nm-es FinFET megoldása 2023 elején kerül piacra
„
A piac első tömeggyártott 10 nm-es FinFET megoldása megerősíti vezető szerepünket a fejlett technológiafejlesztésben” – mondta Yong Chi-yun, a Samsung Electronics félvezetőgyártásért felelős ügyvezető alelnöke. – Továbbra is mindent megteszünk annak érdekében, hogy innovatív, skálázható technológiákat hozzunk létre, és a felhasználók számára differenciált, végponttól végpontig terjedő megoldásokat kínáljunk.”
.
A Samsung új 10 nm-es FinFET 10LPE processzora fejlett 3D tranzisztorstruktúrával rendelkezik. Működési technológiáját és kialakítását továbbfejlesztették a korábbi 14 nm-es változathoz képest, így 30%-kal javult a fajlagos felületi hatékonyság, 40%-kal nőtt a termelékenység és 40%-kal csökkent az energiafogyasztás. A skálázhatóság korlátainak leküzdése érdekében az új megoldás a legújabb technikai megoldást alkalmazza – a hármas strukturálást. Kétirányú útválasztást biztosít a tervezés és útválasztás nagyobb rugalmasságának megőrzése érdekében, mint a korábbi modellek.
Korábban a Samsung bemutatta első generációs 10 nm-es 10LPE processzormegoldásait. A második generáció 10LPP teljesítménye javult, a sorozatgyártás bevezetését 2023 második felére tervezik.
A Samsung a partnerekkel szoros együttműködésben egy olyan, funkciókban gazdag félvezető ökoszisztémát is létre kíván hozni, amely egyesíti a benchmark flow, az IP és a könyvtár validációs eszközöket. A gyártási folyamatfejlesztési készlet PDK és az IP fejlesztési készlet jelenleg elérhető az architektúra bevezetéséhez.
10 nm-es SoC rendszer a digitális eszközökben jövő év elejétől használható. Várhatóan 2023 folyamán válik elérhetővé a tömegfogyasztók számára.
Van már valamilyen információnk arról, hogy melyik Samsung eszközben fogják alkalmazni a 10 nm-es FinFET technológiát?