A Toshiba Memory Europe TME ma bejelentette az XL-FLASH™, egy új Storage Class Memory SCM megoldás bevezetését. A TME szabadalmaztatott és innovatív 3D BiCS FLASH™ 1-bit per cella SLC flash technológiáján alapul, és biztosítja az adatközpontok és a vállalati tárolási környezetek által megkövetelt alacsony késleltetést és nagy teljesítményt.
Az XL-FLASH, egy tárolási osztályú memória, vagy nem-illékony memóriamegoldás, amely a NAND flash memóriához hasonló tartalmakat képes tárolni, és áthidalja a DRAM és a NAND memóriatípusok közötti teljesítménybeli különbséget. Az illékony memória, beleértve a DRAM-ot is, biztosítja az igényes alkalmazások futtatásához szükséges adathozzáférési sebességet, de ez a teljesítmény költséges. Amikor a DRAM bitenkénti költsége megfizethetetlenné válik, és a skálázhatóság csődöt mond, a memóriahierarchia SCM szintje megoldja ezt a problémát azzal, hogy költséghatékony megoldást kínál a nagy sűrűségű, nem illékony NAND flash memória formájában. Az IDC elemző cég előrejelzése szerint az SCM eszközök piaca 2023-re több mint 3 milliárd dollárra nő[1].
A DRAM és a NAND flash közötti szakadék áthidalásával az XL-FLASH megnövelt sebességet, csökkentett késleltetést és nagyobb tárolókapacitást kínál a hagyományos DRAM-hoz képest alacsonyabb költséggel. Az XL-FLASH kezdetben SSD formátumban lesz elérhető, de végül DRAM-csatornával összekapcsolt eszközként, például nem-illékony kettős soros memóriamodulként NVDIMM is forgalomba kerülhet, amely a jövőben várhatóan ipari szabvány lesz.
Főbb jellemzők:
– 128 gigabites GB kristály 2, 4 vagy 8 kristályból álló modul ;
– 4K lapméret az operációs rendszer jobb olvasási és írási hatékonysága érdekében;
– 16 foglalatos architektúra a hatékonyabb párhuzamos működés érdekében;
– Alacsony lapolvasási és programozási idő: az XL-FLASH memória alacsony, kevesebb mint 5 mikroszekundumos olvasási késleltetéssel rendelkezik, ami körülbelül 10-szer gyorsabb, mint a meglévő TLC memóriák.
A NAND flash megalkotójaként, a 3D flash technológiát elsőként bevezető vállalatként és a folyamatváltás vezetőjeként a Toshiba Memory a legjobb helyzetben van ahhoz, hogy az SLC memórián alapuló SCM-eszközöket piacra dobja érett gyártási infrastruktúrájával, az SLC memória bizonyított skálázhatóságával és megbízhatóságával.
„Az XL-FLASH az SLC üzemmódban működő BiCS FLASH flash memóriánknak köszönhetően a ma elérhető legnagyobb teljesítményű NAND megoldás” – mondta Axel Stoermann, a Toshiba Memory Europe alelnöke. – Azzal, hogy csak egy bitet helyeztünk el a cellában, jelentősen növelni tudtuk a teljesítményt. És mivel az XL-FLASH memória már sorozatgyártásban lévő, bevált technológián alapul, az XL-FLASH tárolási kategóriájú memóriamegoldásként való alkalmazásával ügyfeleink képesek lesznek csökkenteni a piacra kerülés idejét.”.
A próbaminták szállítása 2023 szeptemberében kezdődik., és a sorozatgyártás a tervek szerint 2023-ban kezdődik.
Mi az XL-FLASH lényege és mire használható? Milyen előnyei vannak a hagyományos tárolási megoldásokkal szemben? Mi a Toshiba Memory várakozása ezzel az innovatív technológiával kapcsolatban?